13.5nm 极紫外光源是中国科技界的一大喜讯

abc

哈工大成功研发出 13.5nm 极紫外光源是中国科技界的一大喜讯，打破了国外在这一领域的垄断。极紫外光源是阿斯麦最先进的极紫外线（EUV）光刻机的核心。以下是关于该技术研发的介绍：

• 研发历程：哈工大早在 2022 年就推出了光源样机，2023 年完成了原型机研发，到 2024 年初已经通过了关键测试，还在短短半年时间内掌握了七项核心技术。
• 技术优势：该技术采用先进的 DPP（电弧等离子体）技术，相比于传统的光源产生方式，DPP 技术可以更高效地产生极紫外光，且光源的稳定性和一致性更好，能够满足高精度光刻的需求
• 重要意义：极紫外光刻技术是当前最先进的光刻技术之一，它可以实现更小尺寸的芯片制造，极大地提升芯片的集成度和性能。此前这一技术一直被荷兰 ASML 公司所垄断，其他国家和地区的科研团队很难取得突破性进展。如今哈工大的这一技术突破，为中国自主研发高端芯片提供了关键支撑，有望改变全球芯片产业格局，为中国芯片市场带来更多话语权。
  

  阿斯麦最先进的光刻机是 High NA EUV 光刻机，其核心技术除了极紫外光源外，还包括以下方面

• 增大数值孔径：将数值孔径（NA）值从之前标准 EUV 光刻机的 0.33 提升到了 0.55，使得镜头的分辨率从之前的 13 纳米提升到了 8 纳米，能够满足微细加工的要求。
• 变形光学设计：采用变形光学的设计思路，改变了反射系统的图案压缩方式，一个方向缩小 4 倍，另一个与它垂直的方向缩小 8 倍，这样能够在不裁切的情况下，获得最多的细节。
• 提高生产效率：虽然目前的生产速度仅每小时 150 片晶圆，但随着技术的进一步优化，产能将会提高到每小时 300 片晶圆。同时，0.55NA 的 High NA EUV 光刻机，目前支持 2nm 量产，到 2029 年可以支持 1nm 的量产，采用多重曝光还可实现 5 埃米（也就是 0.5nm）制程的量产。